Полевые транзисторы. Скачать бесплатно и без регистрации. Полевые транзисторы. Полевые транзисторы Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. Полевые транзисторы часто называют униполярными. Полевые транзисторы бывают двух видов с управляющим p n переходом со структурой металл диэлектрик полупроводник МДП транзистор. Часто в качестве диэлектрика применяют окисел кремния, поэтому их иногда называют МОП транзистор. МДП транзисторы могуь быть двух типов транзисторы с встроенным каналом транзисторы с индуцированным каналом. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р n переход. Для эффективного управления выходным током материал основного полупроводника должен быть высокоомным. Кроме того, начальная ширина канала должна быть достаточно малой порядка нескольких микрон. Управляющий электрод называют затвором. Рассмотрим физические процессы. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на переходе и от этого изменяется его ширина. D1%81%D1%82%D0%B0%D1%82%D1%8C%D0%B8/649369/presentation//1.JPG' alt='Презентация Полупроводниковые Транзисторы' title='Презентация Полупроводниковые Транзисторы' />Вольт амперная характеристика полупроводникового диода. Содержание полной аерсии презентации Транзистор. В полную версию. Полевые транзисторы с управляющим pnпереходом Полевой транзистор. Презентация на тему Компьютерная электроника Лекция 19. Транзистор полупроводниковый прибор с двумя электроннодырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования. Биполярные транзисторы. Транзисторы. ТРАНЗИСТОРЫ. Устройство полевого транзистора Полевой транзистор это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком. Соответственно изменяется площадь поперечного сечения канала, через который проходит поток основных носителей заряда. Управляющее действие затвора наглядно иллюстрирует стоко затворная характеристика I c U зи при U си const. При U зи 0 сечение канала наибольшее, его сопротивление минимально, и, следовательно, ток максимален. При увеличении U зи площадь поперечного сечения канала уменьшается, ток снижается, При некотором запирающем напряжении, называемом напряжением отсечки, площадь поперечного сечения станет равной нулю и ток стока будет очень мал. С увеличением U СИ ток сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и наступает явление, напоминающее насыщение. Филиал Транзистор, входящий в состав открытого акционерного общества ИНТЕГРАЛ, является производителем полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Канал протекания тока транзистора представляет собой слой полупроводника nтипа, заключенный между двумя pn переходами. Введение Биполярными транзисторами называются полупроводниковые приборы с двумя очень близко расположенными и взаимодействующими pn. Презентация Полупроводниковые Транзисторы' title='Презентация Полупроводниковые Транзисторы' />Это объясняется тем, что с ростом U СИ возрастает обратное напряжение на p n переходе и увеличивается ширина запирающего слоя, а ширина канала соответственно уменьшается. Это приводит к увеличению его сопротивления и уменьшению тока стока. Таким образом, происходит два взаимно противоположных влияния на ток, в результате чего он остается почти неизменным. Повышение напряжения стока приводит к электрическому пробою p n перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Усилительные свойства по напряжению характеризует коэффициент усиления d. U си d. U зи d. U си d. I c d. I с d. U зи R i. В нем созданы две области с электропроводностью противоположного типа, которые соединены между собой тонким приповерхностным слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон сформированы электрические выводы, которые называют истоком и стоком. На поверхности канала имеется слой диэлектрика обычно диоксида кремния толщиной порядка 0. От основания подложкиП делается вывод. Длина канала составляет единицы микрометров, а ширина сотни. Через кристалл ток не протекает, так как переход находится под обратным напряжением. При подаче на затвор отрицательного напряжения в канале создается поперечное электрическое поле, под влиянием которого электроны проводимости выталкиваются из канала. Он обедняется электронами, сопротивление его увеличивается, ток стока уменьшается. Чем больше отрицательное напряжение затвора, тем меньше этот ток. Такой режим транзистора называют режимом обеднения. Если на затвор подать положительное напряжение, то под действием поля, созданного этим напряжением, из областей стока и истока, а также из кристалла в канал будут приходить электроны, проводимость канала увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называется режимом обогащения. Режимы работы транзистора наглядно показывают стоко затворные и выходные характеристики. R пс, R пи и С пс, С пи сопротивление и емкости переходов подложка сток и подложка исток, включенных в обратном направлении. МДП транзистор с индуцированным каналом. При отсутствии напряжения на затворе тока в канале нет. Если на затвор подать положительное напряжение, то под влиянием поля затвора электроны проводимости будут перемещаться из областей стока и истока и из p области по направлению к затвору. Когда напряжение затвора превысит некоторое пороговое или отпирающее значение единицы вольт, то в поверхностном слое концентрация электронов настолько увеличится, что превысит концентрацию дырок, и в этом случае произойдет инверсия типа проводимости, возникнет индуцированный канал n типа и транзистор начнет проводить ток. Эквивалентная схема такая же как и у МДП транзистора с встроенным каналом. Инструкция Хроматограф Кристалл 2000 на этой странице. Режимы работы транзистора наглядно показывают стоко затворные и выходные характеристики. Это схемы с общим 1 истоком 2 стоком 3затвором. Изменяет фазу входного сигнала на 1. Относительно большие входное и выходное сопротивления. Коэффициент усиления по напряжению меньше единицы. Выходное напряжение по фазе повторяет входное. Высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление. Не дает усиления по току и поэтому коэффициент усиления по мощности незначителен. Входное сопротивление мало, так как входным током является ток истока. Фаза напряжения при усилении не изменяется.